IXFA8N50P3备选型号: FQB12N60CTM

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    Single
    N-Channel
    800m Ω @ 4A, 10V
    5V @ 1.5mA
    705pF @ 25V
    13nC @ 10V
    500V
    ±30V
    8A
    8A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2007
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    650mOhm @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    2290pF @ 25V
    63nC @ 10V
    600V
    ±30V
    12A
    -
    符合RoHS标准
    3
    D2PAK (TO-263AB)
    150°C
    -55°C
    600V
    12A
    Single
    225W
    85ns
    90 ns
    30V
    600V
    2.29nF
    650mOhm
    650 mΩ
    无铅
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