IXFA8N50P3备选型号: FQB12N60CTM
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- 工厂交货时间
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode24 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB8A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2013e3活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn)SingleN-Channel800m Ω @ 4A, 10V5V @ 1.5mA705pF @ 25V13nC @ 10V500V±30V8A8AROHS3 Compliant----------------
- MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB12A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2007-Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel650mOhm @ 6A, 10V4V @ 250μA2290pF @ 25V63nC @ 10V600V±30V12A-符合RoHS标准3D2PAK (TO-263AB)150°C-55°C600V12ASingle225W85ns90 ns30V600V2.29nF650mOhm650 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQB12N60CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 对比 |
![]() | STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |





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