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IXFA8N50P3备选型号: STB10N65K3
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode24 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB8A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2013e3活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn)SingleN-Channel800m Ω @ 4A, 10V5V @ 1.5mA705pF @ 25V13nC @ 10V500V±30V8A8AROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB10A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH3™--Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel1 Ω @ 3.6A, 10V4.5V @ 100μA1180pF @ 25V42nC @ 10V-±30V10A-ROHS3 Compliant3EAR99STB10N61Single14.5 ns14ns35 ns30V650V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB12N60CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 对比 |
| STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
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