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IXFR24N100备选型号: SCT20N120
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247通孔通孔ISOPLUS247™3SILICON22A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2008e1yesObsolete3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定1kV22A3Single增强型MOSFET400WISOLATEDN-ChannelSWITCHING390m Ω @ 12A, 10V5.5V @ 8mA8700pF @ 25V267nC @ 10V35ns1000V±20V21 ns22A20V1kV96A无符合RoHS标准无铅---------
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET通孔通孔TO-247-3--20A Tc-55°C~200°C TJTube----活跃------Single---N-Channel-290m Ω @ 10A, 20V3.5V @ 1mA650pF @ 400V45nC @ 20V16ns1200V+25V, -10V17 ns20A25V1.2kV--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)38.000013g1 (Unlimited)EAR99未说明未说明SCT20110 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 对比 |
| SCT20N120 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET | 对比 |
 | STP20N95K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A SuperMESH 5 | 对比 |
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