IXYS IXFR24N100

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

416W Tc

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

1kV

额定电流

22A

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

390m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

267nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

22A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅