IXGA20N120B备选型号: IRG4BH20K-STRLP
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 元素配置
- 集极脉冲电流(Icm)
- 最大下降时间 (tf)
- 辐射硬化
- IGBT 1200V 40A 150W TO2638 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.59999gSILICON1.2kV-55°C~150°C TJTube2002e3yes活跃1 (Unlimited)2PURE TIN低导通损耗150WSINGLE鸥翼未说明unknown未说明IXG*20N1204R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard150W电源控制N-CHANNEL2.5V40ATO-263AA1200V61 ns2.5V @ 15V, 20A720 ns63nC28ns/400ns6.5mJ (off)20V5VROHS3 Compliant------
- IGBT 1200V 11A 60W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON1.2kV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000e3-最后一次购买1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗60W-鸥翼260-30--R-PSSO-G2--COLLECTORStandard60WMOTOR CONTROLN-CHANNEL4.3V11A-1200V51 ns4.3V @ 15V, 5A720 ns28nC23ns/93ns450μJ (on), 440μJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant3EAR99Single22A400ns无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SKB02N120ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB Rail | 对比 |
![]() | IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 1200V 11A 60W D2PAK | 对比 |





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