IXGA20N120B详情
IXYS IXGA20N120B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
质量
1.59999g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
PURE TIN
附加功能
低导通损耗
最大功率耗散
150W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXG*20N120
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
150W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.5V
最大集电极电流
40A
JEDEC-95代码
TO-263AA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
61 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
720 ns
闸门收费
63nC
Td(开/关)@25°C
28ns/400ns
开关能量
6.5mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXGA20N120B拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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