IXGA4N100备选型号: ISL9V2040S3ST
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- Td(开/关)@25°C
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 箱体转运
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- 晶体管应用
- 上升时间
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- 最大击穿电压
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- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 1KV 8A 3-Pin(2 Tab) TO-263AA25 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263 (IXGA)1.59999g1kV-55°C~150°C TJTube2000活跃1 (Unlimited)150°C-55°C40WSingleStandard40W1kV8A1000V2.7V @ 15V, 4A13.6nC16A20ns/390ns900μJ (off)ROHS3 Compliant-------------------------
- IGBT 430V 10A 130W TO263AB5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-1.31247g430V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)--130WSingleLogic-1.9V10A-1.9V @ 4V, 6A12nC--/3.64μs-ROHS3 CompliantSILICONEcoSPARK®e3yes2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95400V鸥翼10AISL9V2040R-PSSO-G2130WCOLLECTOR400V汽车点火装置2.17μsN-CHANNEL430V2780 ns6000 ns12V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 430V 10A 130W TO263AB | 对比 |
![]() | SKB02N120ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | SGW5N60RUFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |





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