ON Semiconductor SGW5N60RUFDTM
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SGW5N60RUFDTM
1807-SGW5N60RUFDTM
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
1最小包装量--
SGW5N60RUFDTM详情
ON Semiconductor SGW5N60RUFDTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Test Conditions
300V, 5A, 40 Ω, 15V
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
60W
额定电流
5A
元素配置
Single
功率耗散
60W
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
8A
反向恢复时间
55 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 5A
闸门收费
16nC
集极脉冲电流(Icm)
15A
Td(开/关)@25°C
13ns/34ns
开关能量
88μJ (on), 107μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SGW5N60RUFDTM拓展信息
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