IXGA4N100备选型号: SGW5N60RUFDTM
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- 功率 - 最大
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- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
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- RoHS状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 反向恢复时间
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 1KV 8A 3-Pin(2 Tab) TO-263AA25 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263 (IXGA)1.59999g1kV-55°C~150°C TJTube2000活跃1 (Unlimited)150°C-55°C40WSingleStandard40W1kV8A1000V2.7V @ 15V, 4A13.6nC16A20ns/390ns900μJ (off)ROHS3 Compliant------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--600V-Tape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C60WSingleStandard-600V8A-2.8V @ 15V, 5A16nC15A13ns/34ns88μJ (on), 107μJ (off)符合RoHS标准2.5V600V5A60W55 ns无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 430V 10A 130W TO263AB | 对比 |
![]() | SKB02N120ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | SGW5N60RUFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |





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