IXGA4N100备选型号: STGB5H60DF
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- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- IGBT类型
- Trans IGBT Chip N-CH 1KV 8A 3-Pin(2 Tab) TO-263AA25 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263 (IXGA)1.59999g1kV-55°C~150°C TJTube2000活跃1 (Unlimited)150°C-55°C40WSingleStandard40W1kV8A1000V2.7V @ 15V, 4A13.6nC16A20ns/390ns900μJ (off)ROHS3 Compliant--------
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB---600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)--88W-Standard88W1.95V10A-1.95V @ 15V, 5A43nC20A30ns/140ns56μJ (on), 78.5μJ (off)ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR99未说明未说明STGB5134.5 ns600V沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 430V 10A 130W TO263AB | 对比 |
![]() | SKB02N120ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | SGW5N60RUFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |






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