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首页 全部分类 IXGH30N60C3C1 vs STGW20NC60VD

IXGH30N60C3C1备选型号: STGW20NC60VD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 反向恢复时间
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGH30N60C3C1
    IXYS
    IGBT 600V 60A 220W TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    220W
    未说明
    未说明
    IXG*30N60
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    220W
    电源控制
    N-CHANNEL
    3V
    60A
    37 ns
    3V @ 15V, 20A
    160 ns
    PT
    38nC
    150A
    17ns/42ns
    120μJ (on), 90μJ (off)
    20V
    5.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW20NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200W
    -
    -
    STGW20
    3
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    42.5 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    280 ns
    -
    100nC
    150A
    31ns/100ns
    220μJ (on), 330μJ (off)
    20V
    5.75V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    超快
    600V
    30A
    200W
    31 ns
    11.5ns
    44ns
    30A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
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