ON Semiconductor NGTB30N60SWG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

189W

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

189W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

200 ns

接通时间

90 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

285 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

90nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

57ns/109ns

开关能量

750μJ (on), 540μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅