您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXGH50N90B2D1 vs APT43GA90BD30

IXGH50N90B2D1备选型号: APT43GA90BD30

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGH50N90B2D1
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    900V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFAST™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    400W
    未说明
    未说明
    IXG*50N90
    3
    不合格
    Single
    400W
    COLLECTOR
    Standard
    20 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    75A
    200ns
    TO-247AD
    48 ns
    2.7V @ 15V, 50A
    820 ns
    PT
    135nC
    200A
    20ns/350ns
    4.7mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT43GA90BD30
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 78A 337W TO247
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    38.000013g
    SILICON
    900V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1999
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Pure Matte Tin (Sn)
    337W
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    78A
    -
    -
    28 ns
    3.1V @ 15V, 47A
    246 ns
    PT
    116nC
    129A
    12ns/82ns
    875μJ (on), 425μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    EAR99
    低导通损耗
    R-PSFM-T3
    78A
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STGWA30M65DF2 STGWA30M65DF2 STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins 对比
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 IXYS 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT 对比
APT43GA90BD30 APT43GA90BD30 Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 900V 78A 337W TO247 对比