IXGH50N90B2D1备选型号: IXYH40N90C3D1
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- JESD-609代码
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- 基本部件号
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- 晶体管应用
- 极性/通道类型
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- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD30 Weeks通孔通孔TO-247-336.500007gSILICON900V2.2V-55°C~150°C TJTubeHiPerFAST™2006e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)400W未说明未说明IXG*50N903不合格Single400WCOLLECTORStandard20 ns电源控制N-CHANNEL900V75A200nsTO-247AD48 ns2.7V @ 15V, 50A820 nsPT135nC200A20ns/350ns4.7mJ (off)ROHS3 Compliant无铅--
- IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT28 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON900V2.2V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2013--活跃1 (Unlimited)3-500W-----Single500WCOLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL900V90A100nsTO-247AD81 ns2.5V @ 15V, 40A237 ns-74nC180A27ns/78ns1.9mJ (on), 1mJ (off)ROHS3 Compliant无铅20V5.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IXYH40N90C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT | 对比 |
![]() | APT43GA90BD30 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 900V 78A 337W TO247 | 对比 |





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