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IXTA8N65X2备选型号: IPB60R380P6ATMA1
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- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-26315 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB8A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel500m Ω @ 4A, 10V5V @ 250μA800pF @ 25V12nC @ 10V650V±30V8AROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 600V TO263-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB10.6A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2008Obsolete1 (Unlimited)EAR99未说明-未说明N-Channel380m Ω @ 3.8A, 10V4.5V @ 320μA877pF @ 100V19nC @ 10V-±20V10.6A符合RoHS标准SILICONCoolMOS™ P6e3yes2Tin (Sn)SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素600V0.38Ohm29A210 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
| IPB60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 对比 |
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