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IXTA8N65X2备选型号: STB10N65K3
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 漏源击穿电压
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MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-26315 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB8A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel500m Ω @ 4A, 10V5V @ 250μA800pF @ 25V12nC @ 10V650V±30V8AROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB10A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)-Obsolete1 (Unlimited)EAR99---N-Channel1 Ω @ 3.6A, 10V4.5V @ 100μA1180pF @ 25V42nC @ 10V-±30V10AROHS3 Compliant3SuperMESH3™STB10N61Single14.5 ns14ns35 ns30V650V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
 | IPB60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 对比 |
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