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IXTA8N65X2备选型号: IPB65R660CFDAATMA1
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- 晶体管元件材料
- 系列
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- 无铅代码
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- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-26315 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB8A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel500m Ω @ 4A, 10V5V @ 250μA800pF @ 25V12nC @ 10V650V±30V8AROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET N-CH TO263-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB6A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008活跃1 (Unlimited)-未说明not_compliant未说明N-Channel660m Ω @ 3.2A, 10V4.5V @ 200μA543pF @ 100V20nC @ 10V-±20V6AROHS3 Compliant3SILICONAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™e3no2Tin (Sn)SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET62.5WDRAIN9 nsSWITCHING无卤素8ns10 nsTO-252AA20V650V6A0.66Ohm含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
| IPB60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 对比 |
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