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首页 全部分类 IXTD5N100A vs IPD80R1K0CEATMA1

IXTD5N100A备选型号: IPD80R1K0CEATMA1

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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXTD5N100A
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    SILICON
    5A Tc
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    UPPER
    无铅
    R-XUUC-N5
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    1000V
    5A
    2Ohm
    1000V
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD80R1K0CEATMA1
    Infineon Technologies
    N-Channel 800 V 0.95 O 31 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    5.7A Tc
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    800V
    5.7A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    3
    PG-TO252-3
    3.949996g
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™ CE
    2008
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    83W
    25 ns
    950mOhm @ 3.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    785pF @ 100V
    31nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    8 ns
    3V
    20V
    800V
    800V
    785pF
    800mOhm
    950 mΩ
    无SVHC
    无铅
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