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IXTD5N100A备选型号: IPN70R1K5CEATMA1
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- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 包装
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- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE表面贴装表面贴装DieSILICON5A TcTube活跃1 (Unlimited)5UPPER无铅R-XUUC-N5不合格SINGLE增强型MOSFETN-Channel1000V5A2Ohm1000VROHS3 Compliant-------------------
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223表面贴装表面贴装SOT-223-3-5.4A TcTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-------N-Channel700V5.4A--ROHS3 Compliant18 Weeks3PG-SOT223-40°C~150°C TJCoolMOS™2002150°C-40°C1.5Ohm @ 1A, 10V3.5V @ 100μA225pF @ 100V10.5nC @ 10V±20V3V225pF超级交界处1.35Ohm1.5 Ω无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK | 对比 |
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-223-3 | MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223 | 对比 |
 | IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel 800 V 0.95 O 31 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK | 对比 |
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