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首页 全部分类 IXTH20N50D vs FCH190N65F-F155

IXTH20N50D备选型号: FCH190N65F-F155

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 下降时间（典型值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXTH20N50D
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    330m Ω @ 10A, 10V
    2500pF @ 25V
    125nC @ 10V
    85ns
    ±30V
    75 ns
    20A
    TO-247AA
    30V
    0.33Ohm
    500V
    50A
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH190N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlead
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    20.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    -
    R-PSFM-T3
    -
    Single
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 10A, 10V
    3225pF @ 100V
    78nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    4.2 ns
    20.6A
    TO-247AB
    30V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6.39g
    FRFET®, SuperFET® II
    190mOhm
    not_compliant
    1
    增强型MOSFET
    25 ns
    5V @ 2mA
    650V
    650V
    400 mJ
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