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IXTY01N100D备选型号: IPD80R1K0CEATMA1

IXTY01N100D

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA

24 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
SILICON
100mA Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2006
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
110Ohm
Pure Tin (Sn)
鸥翼
4
R-PSSO-G2
Single
1.1W
DRAIN
N-Channel
SWITCHING
110 Ω @ 50mA, 0V
120pF @ 25V
6ns
1000V
±20V
6 ns
100mA
TO-252AA
20V
1kV
0.4A
耗尽模式
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPD80R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

N-Channel 800 V 0.95 O 31 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK

18 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
-
5.7A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2008
-
活跃
1 (Unlimited)
-
-
-
-
-
-
-
Single
83W
-
N-Channel
-
950mOhm @ 3.6A, 10V
785pF @ 100V
15ns
800V
±20V
8 ns
5.7A
-
20V
800V
-
-
-
ROHS3 Compliant
无铅
PG-TO252-3
3.949996g
CoolMOS™ CE
150°C
-55°C
1
25 ns
3.9V @ 250μA
31nC @ 10V
3V
800V
785pF
800mOhm
950 mΩ
无SVHC
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