您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXTY1R4N120P vs FQD2N90TF

IXTY1R4N120P备选型号: FQD2N90TF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 配置
  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大耗散功率(Abs)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTY1R4N120P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    4.5V @ 100μA
    1200V
    ±20V
    1.4A
    86W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD2N90TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    5V @ 250μA
    -
    ±30V
    1.7A
    -
    符合RoHS标准
    3
    260.37mg
    QFET®
    2016
    900V
    1.7A
    Single
    2.5W
    15 ns
    7.2 Ω @ 850mA, 10V
    500pF @ 25V
    15nC @ 10V
    35ns
    30 ns
    30V
    900V
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK 对比
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 对比
FQD2N90TF FQD2N90TF ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK 对比