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IXTY1R4N120P备选型号: STD2N105K5

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安装类型
包装/外壳
操作温度
包装
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
配置
场效应管类型
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
最大耗散功率(Abs)
RoHS状态
系列
ECCN 代码
峰值回流焊温度（摄氏度）
时间@峰值回流温度-最大值(s)
基本部件号
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
无铅

IXTY1R4N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

24 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
1.4A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
活跃
1 (Unlimited)
Single
N-Channel
4.5V @ 100μA
1200V
±20V
1.4A
86W
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
STD2N105K5

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

17 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
1.5A Tc
-55°C~150°C TJ
Cut Tape (CT)
活跃
1 (Unlimited)
Single
N-Channel
5V @ 100μA
1050V
±30V
1.5A
-
ROHS3 Compliant
MDmesh™ K5
EAR99
未说明
未说明
STD2N105
8 Ω @ 750mA, 10V
115pF @ 100V
10nC @ 10V
无铅
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