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首页 全部分类 IXTY1R4N120P vs IPD50R3K0CEAUMA1

IXTY1R4N120P备选型号: IPD50R3K0CEAUMA1

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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • IXYS
    IXTY1R4N120P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    4.5V @ 100μA
    1200V
    ±20V
    1.4A
    86W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    IPD50R3K0CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    26W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    3 (168 Hours)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    3.5V @ 30μA
    -
    ±20V
    1.7A
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    CoolMOS™ CE
    2013
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    3 Ω @ 400mA, 13V
    无卤素
    84pF @ 100V
    4.3nC @ 10V
    500V
    3Ohm
    4.1A
    18 mJ
    含铅
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