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首页 全部分类 IXTY1R4N120P vs IPD60R3K3C6ATMA1

IXTY1R4N120P备选型号: IPD60R3K3C6ATMA1

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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTY1R4N120P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    4.5V @ 100μA
    1200V
    ±20V
    1.4A
    86W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R3K3C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    3.5V @ 40μA
    -
    ±20V
    1.7A
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    3.949996g
    SILICON
    CoolMOS™ C6
    2008
    e3
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    SWITCHING
    3.3 Ω @ 500mA, 10V
    93pF @ 100V
    4.6nC @ 10V
    10ns
    60 ns
    30V
    600V
    4A
    6 mJ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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