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首页 全部分类 IXXH30N65B4 vs IXXH30N60B3D1

IXXH30N65B4备选型号: IXXH30N60B3D1

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IXYS
    IXXH30N65B4
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.66V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    230W
    Single
    230W
    Standard
    32 ns
    N-CHANNEL
    2V
    65A
    2V @ 15V, 30A
    PT
    52nC
    146A
    32ns/170ns
    1.55mJ (on), 480μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH30N60B3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    1.66V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    270W
    Single
    270W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    1.85V @ 15V, 24A
    PT
    39nC
    115A
    23ns/97ns
    550μJ (on), 500μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    3
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    COLLECTOR
    电源控制
    25ns
    TO-247AD
    57 ns
    292 ns
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