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首页 全部分类 IXXH30N65B4 vs STGWA30M65DF2

IXXH30N65B4备选型号: STGWA30M65DF2

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXXH30N65B4
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.66V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    230W
    Single
    230W
    Standard
    32 ns
    N-CHANNEL
    2V
    65A
    2V @ 15V, 30A
    PT
    52nC
    146A
    32ns/170ns
    1.55mJ (on), 480μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGWA30M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    258W
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    2V
    60A
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    80nC
    120A
    31.6ns/115ns
    300μJ (on), 960μJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    STGWA30
    258W
    140 ns
    无SVHC
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