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首页 全部分类 IXXH30N65B4 vs STGW40H65DFB

IXXH30N65B4备选型号: STGW40H65DFB

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXXH30N65B4
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.66V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    230W
    Single
    230W
    Standard
    32 ns
    N-CHANNEL
    2V
    65A
    2V @ 15V, 30A
    PT
    52nC
    146A
    32ns/170ns
    1.55mJ (on), 480μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW40H65DFB
    STMicroelectronics
    IGBT 650V 80A 283W TO-247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    283W
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    650V
    80A
    2V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    210nC
    160A
    40ns/142ns
    498μJ (on), 363μJ (off)
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    38.000013g
    EAR99
    未说明
    未说明
    STGW40
    283W
    62 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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