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首页 全部分类 MJD122-1 vs APT13003DI-G1

MJD122-1备选型号: APT13003DI-G1

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 最小工作温度
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • STMicroelectronics
    MJD122-1
    STMicroelectronics
    Trans Darlington NPN 100V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube
    8 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    SILICON
    100V
    2V
    Bulk
    150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    20W
    260
    30
    MJD122
    3
    R-PSIP-T3
    NPN
    Single
    20W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    NPN - Darlington
    100V
    8A
    1000 @ 4A 4V
    10μA
    4V @ 80mA, 8A
    100V
    100V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    APT13003DI-G1
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
    15 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    -
    450V
    300mV
    Tube
    -65°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    24W
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    Single
    -
    -
    -
    NPN
    400mV
    1.5A
    5 @ 1A 2V
    -
    400mV @ 250mA, 1A
    -
    -
    9V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    TO-251
    2010
    150°C
    -65°C
    24W
    4MHz
    450V
    4MHz
    1.5A
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APT13003DI-G1 APT13003DI-G1 Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W 对比
MJD31CITU MJD31CITU ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TRANS NPN 100V 3A IPAK 对比