STMicroelectronics MJD122-1

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

hFEMin

100

Number of Elements

1

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

20W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD122

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

20W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 4A 4V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 80mA, 8A

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅