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首页 全部分类 MMBT5551-7-F vs MMBT5551

MMBT5551-7-F备选型号: MMBT5551

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  • 最大功率耗散
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  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 连续集电极电流
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最高频率
  • 频率转换
  • Diodes Incorporated
    MMBT5551-7-F
    Diodes Incorporated
    Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    13 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    7.994566mg
    SILICON
    30
    200mV
    2008
    Automotive, AEC-Q101
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    160V
    300mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    200mA
    300MHz
    40
    MMBT5551
    3
    Single
    300mW
    SWITCHING
    300MHz
    NPN
    NPN
    160V
    600mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    160V
    180V
    6V
    150°C
    200mA
    1.4mm
    3.05mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMBT5551
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    31 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    30mg
    -
    160V
    200mV
    2013
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    160V
    350mW
    -
    -
    -
    600mA
    300MHz
    -
    MMBT5551
    -
    Single
    350mW
    -
    100MHz
    -
    NPN
    160V
    600mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    -
    160V
    180V
    6V
    150°C
    -
    1.3mm
    2.92mm
    1.2mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    Tin
    SOT-23-3
    150°C
    -55°C
    NPN
    350mW
    160V
    300MHz
    100MHz
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