ON Semiconductor KST5551MTF

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

350mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

600mA

频率

300MHz

基本部件号

KST5551

元素配置

Single

功率耗散

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

160V

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

970μm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅