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首页 全部分类 MMDF2P02ER2G vs IRF9953PBF

MMDF2P02ER2G备选型号: IRF9953PBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MMDF2P02ER2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -25V
    2W
    鸥翼
    260
    -2.5A
    40
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    250m Ω @ 2A, 10V
    3V @ 250μA
    475pF @ 16V
    15nC @ 10V
    29ns
    25V
    28 ns
    2.5A
    20V
    0.25Ohm
    -25V
    13A
    245 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9953PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -30V
    2W
    -
    -
    -2.3A
    -
    -
    -
    -
    -
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    -
    250mOhm @ 1A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    12nC @ 10V
    14ns
    30V
    6.9 ns
    -2.3A
    20V
    -
    -30V
    -
    -
    -
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8-SO
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    IRF9953PBF
    Dual
    9.7 ns
    2W
    -1V
    190pF
    250mOhm
    250 mΩ
    -1 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
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