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首页 全部分类 MMDF2P02ER2G vs NDS9953A

MMDF2P02ER2G备选型号: NDS9953A

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 行间距
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MMDF2P02ER2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -25V
    2W
    鸥翼
    260
    -2.5A
    40
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    250m Ω @ 2A, 10V
    3V @ 250μA
    475pF @ 16V
    15nC @ 10V
    29ns
    25V
    28 ns
    2.5A
    20V
    0.25Ohm
    -25V
    13A
    245 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDS9953A
    ON Semiconductor
    MOSFET SO-8 P-CH ENHANCE
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -30V
    900mW
    -
    -
    -2.9A
    -
    -
    -
    -
    -
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    -
    130m Ω @ 1A, 10V
    2.8V @ 250μA
    350pF @ 10V
    25nC @ 10V
    21ns
    30V
    8 ns
    2.9A
    20V
    -
    -30V
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    SMD/SMT
    6.3 mm
    Dual
    -1.6V
    -30V
    -1.6 V
    4.05mm
    无SVHC
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