MW6S004NT1备选型号: BSS138K
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 增益
- DS 击穿电压-最小值
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- 操作温度
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.510 WeeksPLD-1.5YESSILICON1Tape & Reel (TR)2009e3活跃3 (168 Hours)4EAR99Matte Tin (Sn)8541.29.00.75QUAD无铅2601.96GHz40MW6S004R-PQSO-N4不合格SINGLE增强型MOSFETSOURCE50mAAMPLIFIERN-CHANNELLDMOS18dB68V4WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28VROHS3 Compliant------------------------------------
- MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-38 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3--220mA TaTape & Reel (TR)2013-活跃1 (Unlimited)---------BSS138--------------ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)Tin表面贴装表面贴装3SOT-23-330mg-55°C~150°C TJ1.6Ohm150°C-55°CSingle350mW5 nsN-Channel1.6Ohm @ 50mA, 5V1.2V @ 250μA58pF @ 25V2.4nC @ 10V5ns50V±12V35 ns220mA600mV12V50V58pF1.6Ohm1.6 Ω600 mV930μm2.92mm1.3mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 | 对比 |
![]() | DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-523 | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | 对比 |
![]() | BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |







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