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首页 全部分类 MW6S004NT1 vs DMN53D0U-7

MW6S004NT1备选型号: DMN53D0U-7

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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • NXP USA Inc.
    MW6S004NT1
    NXP USA Inc.
    FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    10 Weeks
    PLD-1.5
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    QUAD
    无铅
    260
    1.96GHz
    40
    MW6S004
    R-PQSO-N4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    18dB
    68V
    4W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN53D0U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
    22 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    SILICON
    300mA Ta
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    R-PDSO-G3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    7.994566mg
    -55°C~150°C TJ
    HIGH RELIABILITY
    50pF
    1
    Single
    2.1 ns
    N-Channel
    2 Ω @ 50mA, 5V
    1V @ 250μA
    37.1pF @ 25V
    0.6nC @ 4.5V
    2.8ns
    ±12V
    14 ns
    300mA
    12V
    0.3A
    3Ohm
    50V
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