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首页 全部分类 MW6S004NT1 vs DMN55D0UT-7

MW6S004NT1备选型号: DMN55D0UT-7

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MW6S004NT1
    NXP USA Inc.
    FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    10 Weeks
    PLD-1.5
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    QUAD
    无铅
    260
    1.96GHz
    40
    MW6S004
    R-PQSO-N4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    18dB
    68V
    4W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN55D0UT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
    18 Weeks
    SOT-523
    -
    SILICON
    160mA Ta
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    3
    7.994566mg
    -55°C~150°C TJ
    yes
    HIGH RELIABILITY
    3
    1
    Single
    200mW
    N-Channel
    4 Ω @ 100mA, 4V
    1V @ 250μA
    25pF @ 10V
    ±12V
    160mA
    800mV
    12V
    4Ohm
    50V
    750μm
    1.6mm
    800μm
    无SVHC
    无
    无铅
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