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首页 全部分类 NCV8402ADDR2G vs IRF9952PBF

NCV8402ADDR2G备选型号: IRF9952PBF

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  • 漏源电阻
  • 内置保护器
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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 行间距
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • ON Semiconductor
    NCV8402ADDR2G
    ON Semiconductor
    IC DVR LOW SIDE 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
    47 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    165mOhm
    Tin (Sn)
    1.62W
    鸥翼
    2
    NCV8402
    8
    2
    N-Channel
    4.8A
    On/Off
    Dual
    低侧
    800mW
    不需要
    Non-Inverting
    通用型
    无卤素
    2A
    42V
    2A
    1.8V
    1:1
    14V
    42V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    55V
    4.8A
    165m Ω
    165mOhm
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    SINK
    自动重启
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9952PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    3.5A 2.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    100mOhm
    -
    2W
    鸥翼
    -
    IRF9952PBF
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.5A
    1V
    -
    20V
    -
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    DUAL
    3.5A
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    14nC @ 10V
    14ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    6.9 ns
    16A
    44 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1 V
    1.4986mm
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