NCV8402ADDR2G备选型号: NTMS3P03R2G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 功能数量
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出的数量
- 输出类型
- 最大输出电流
- 界面
- 元素配置
- 输出配置
- 功率耗散
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 输入类型
- 开关类型
- 无卤素
- 每个通道的输出电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 比率-输入:输出
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 电压-负荷
- 故障保护
- 漏源击穿电压
- 输出峰值电流限制-名
- Rds On(Typ)
- 漏源电阻
- 内置保护器
- 输出电流流向
- 特征
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 晶体管元件材料
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- IC DVR LOW SIDE 8-SOICACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)47 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES81-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1002005e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99165mOhmTin (Sn)1.62W鸥翼2NCV840282N-Channel4.8AOn/OffDual低侧800mW不需要Non-Inverting通用型无卤素2A42V2A1.8V1:114V42V MaxCurrent Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage55V4.8A165m Ω165mOhmTRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMALSINK自动重启4.9mm3.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------------------
- MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOICOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)-表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-82.34A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2006e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99-Tin (Sn)-鸥翼--8------2W-----30V3.05A--20V---30V----------符合RoHS标准无铅表面贴装SILICON雪崩 额定-30VDUAL260unknown-3.05A40不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING85m Ω @ 3.05A, 10V2.5V @ 250μA750pF @ 24V25nC @ 10V16ns±20V45 ns2.34A-1.7 V135 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMS3P03R2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | IRF9952PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 对比 |



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