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首页 全部分类 NGTB05N60R2DT4G vs STGD10NC60KDT4

NGTB05N60R2DT4G备选型号: STGD10NC60KDT4

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  • 引脚数量
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
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  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB05N60R2DT4G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    DPAK
    3
    600V
    1.65V
    Tape & Reel (TR)
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    56W
    not_compliant
    Single
    600V
    16A
    70 ns
    600V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGD10NC60KDT4
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 62W DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    600V
    2V
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    62W
    -
    Single
    600V
    20A
    22 ns
    600V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerMESH™
    2
    EAR99
    鸥翼
    STGD10
    3
    R-PSSO-G2
    COLLECTOR
    Standard
    17 ns
    62W
    电源控制
    6.5ns
    N-CHANNEL
    23 ns
    2.5V @ 15V, 5A
    242 ns
    19nC
    30A
    17ns/72ns
    55μJ (on), 85μJ (off)
    20V
    7V
    无
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