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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.056519
10
¥6.657094
100
¥6.28028
500
¥5.924786
1000
¥5.589425
ON Semiconductor NGTB05N60R2DT4G
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- 对比
NGTB05N60R2DT4G
1807-NGTB05N60R2DT4G
晶体管 - IGBT - 单个
DPAK
大陆
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ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NGTB05N60R2DT4G详情
ON Semiconductor NGTB05N60R2DT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
DPAK
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
56W
Reach合规守则
not_compliant
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
16A
反向恢复时间
70 ns
最大击穿电压
600V
高度
2.38mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NGTB05N60R2DT4G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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