STMicroelectronics STGD6NC60HDT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

350.003213mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 3A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

56W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGD6

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

50W

输入类型

Standard

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

15A

反向恢复时间

21 ns

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大击穿电压

600V

接通时间

17.3 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 3A

连续集电极电流

6A

关断时间-标准值（toff)

222 ns

闸门收费

13.6nC

集极脉冲电流（Icm）

21A

Td（开/关）@25°C

12ns/76ns

开关能量

20μJ (on), 68μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅