NGTB35N60FL2WG备选型号: STGW30V60DF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    600V
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    300W
    Single
    Standard
    300W
    600V
    70A
    68 ns
    2V @ 15V, 35A
    沟渠现场停车
    125nC
    120A
    72ns/132ns
    840μJ (on), 280μJ (off)
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 258W TO247
    -
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    258W
    Single
    Standard
    -
    600V
    60A
    53 ns
    2.3V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    163nC
    120A
    45ns/189ns
    383μJ (on), 233μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    3
    EAR99
    STGW30
    258W
    电源控制
    N-CHANNEL
    59 ns
    225 ns
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