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首页 全部分类 NSTR4501NT1G vs IRLML6402GTRPBF

NSTR4501NT1G备选型号: IRLML6402GTRPBF

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 操作温度
  • 系列
  • 电阻
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NSTR4501NT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    3.2A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    1.25W
    DUAL
    鸥翼
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    6.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    200pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    3 ns
    3.2A
    12V
    0.08Ohm
    10A
    20V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6402GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    3.7A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    350 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    633pF @ 10V
    12nC @ 5V
    48ns
    20V
    381 ns
    -3.7A
    12V
    -
    22A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    SILICON
    IRLML6402GTRPBF
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    65MOhm
    HIGH RELIABILITY
    1
    Single
    1.3W
    ±12V
    -20V
    150°C
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无铅
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