您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTA4001NT1G vs NTJD5121NT1G

NTA4001NT1G备选型号: NTJD5121NT1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    NTA4001NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 0.238A SOT-416
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    3
    SILICON
    238mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.5Ohm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    238mA
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300mW
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 10mA, 4.5V
    1.5V @ 100μA
    20pF @ 5V
    15ns
    ±10V
    15 ns
    238mA
    1V
    10V
    20V
    1 V
    6 pF
    800μm
    1.6256mm
    900μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTJD5121NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.6Ohm
    -
    -
    鸥翼
    -
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    250W
    22 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 250μA
    26pF @ 20V
    34ns
    -
    32 ns
    295mA
    1.7V
    20V
    60V
    1.7 V
    -
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    低阈值
    266mW
    NTJD5121N
    250mW
    0.9nC @ 4.5V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 对比
MMBF2202PT1G MMBF2202PT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-70, SOT-323 MOSFET 20V 300mA P-Channel 对比