ON Semiconductor NTA4001NT1G
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NTA4001NT1G
1807-NTA4001NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-75, SOT-416
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MOSFET N-CH 20V 0.238A SOT-416
--最小包装量--
NTA4001NT1G详情
ON Semiconductor NTA4001NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
238mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300mW Tj
Turn Off Delay Time
98 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.5Ohm
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
238mA
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300mW
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3 Ω @ 10mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20pF @ 5V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
238mA
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
20V
栅源电压
1 V
反馈上限-最大值 (Crss)
6 pF
高度
800μm
长度
1.6256mm
宽度
900μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTA4001NT1G拓展信息
ON Semiconductor
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