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NTB125N02RT4备选型号: IRL3714ZSPBF
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 操作温度
- 电阻
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK表面贴装D2PAK1Cut Tape (CT)2006e0Obsolete1 (Unlimited)2Tin/Lead (Sn80Pb20)150°C-55°C8541.29.00.9524V1.98W鸥翼235not_compliant125A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2.72WDRAINSWITCHING39ns24VN-CHANNEL21 ns120.5ATO-220AB20V95A24V250A3.44nF120 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR3.7mOhm4.6 mΩNon-RoHS Compliant含铅----------------------- MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB36A TcTube2003-Obsolete1 (Unlimited)--175°C-55°C-20V----36A----Single-35W--13ns20V-5 ns36A-20V-20V-550pF--16mOhm16 mΩ符合RoHS标准无铅表面贴装3D2PAKHEXFET®-55°C~175°C TJ16mOhm6 nsN-Channel16mOhm @ 15A, 10V2.55V @ 250μA550pF @ 10V7.2nC @ 4.5V±20V2.1V20V12 ns2.1 V4.699mm10.668mm9.65mm无无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL3714ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | 对比 |
| NTB90N02T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK | 对比 |
 | NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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