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NTB125N02RT4备选型号: NTB75N03RG
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- JESD-609代码
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK表面贴装D2PAK1Cut Tape (CT)2006e0Obsolete1 (Unlimited)2Tin/Lead (Sn80Pb20)150°C-55°C8541.29.00.9524V1.98W鸥翼235not_compliant125A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2.72WDRAINSWITCHING39ns24VN-CHANNEL21 ns120.5ATO-220AB20V95A24V250A3.44nF120 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR3.7mOhm4.6 mΩNon-RoHS Compliant含铅----------
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB9.7A Ta 75A TcTube2006e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)--8541.29.00.9525V-鸥翼260-75A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET74.4WDRAINSWITCHING----75A-20V9.7A25V225A-71.7 mJ---符合RoHS标准无铅表面贴装SILICON-55°C~150°C TJN-Channel8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 10V±20V0.013Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL3714ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | 对比 |
| NTB90N02T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK | 对比 |
| NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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