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NTD20N03L27G备选型号: IPD090N03LGATMA1

NTD20N03L27G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
SILICON
20A Ta
-55°C~150°C TJ
Tube
2007
e3
Obsolete
1 (Unlimited)
2
EAR99
Tin (Sn)
雪崩额定
30V
鸥翼
未说明
20A
未说明
3
R-PSSO-G2
不合格
Single
增强型MOSFET
74W
DRAIN
N-Channel
SWITCHING
27m Ω @ 10A, 5V
2V @ 250μA
1260pF @ 25V
18.9nC @ 10V
137ns
±20V
31 ns
20A
20V
30V
60A
288 mJ
1.6 V
无SVHC
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11

表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
SILICON
40A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
2006
e3
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
Tin (Sn)
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
-
鸥翼
未说明
-
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
Single
增强型MOSFET
42W
DRAIN
N-Channel
SWITCHING
9m Ω @ 30A, 10V
2.2V @ 250μA
1600pF @ 15V
15nC @ 10V
3ns
±20V
2.6 ns
40A
20V
30V
280A
70 mJ
-
-
ROHS3 Compliant
-
18 Weeks
OptiMOS™
no
not_compliant
4 ns
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