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首页 全部分类 NTMFS4C10NT1G vs DMP32D4SFB-7B

NTMFS4C10NT1G备选型号: DMP32D4SFB-7B

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  • 端子表面处理
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  • Reach合规守则
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C10NT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R
    16 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    YES
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    5
    SILICON
    14 ns
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.95m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    987pF @ 15V
    9.7nC @ 4.5V
    34ns
    30V
    ±20V
    7 ns
    46A
    2.2V
    20V
    8.2A
    30V
    5.1mm
    6.1mm
    1.05mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP32D4SFB-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
    16 Weeks
    -
    -
    3-UFDFN
    表面贴装
    3
    -
    400mA Ta
    2017
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    -
    -
    1
    Single
    -
    -
    3.6 ns
    P-Channel
    -
    2.4 Ω @ 200mA, 10V
    2.3V @ 250μA
    51pF @ 15V
    1.3nC @ 10V
    8.5ns
    30V
    ±20V
    20.2 ns
    500mA
    -
    20V
    0.5A
    -
    675μm
    1.08mm
    480μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    260
    30
    -30V
    无
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